晶片内部缺陷观测仪

详情描述：

HS-phys-SimPLe半导体晶片内部缺陷检测系统是专门用于包括单晶硅、碳化硅、蓝宝石等半导体晶片及晶环生产过程中以极高的分辨率探测晶片和晶环的内部滑移线、内部隐裂等内部缺陷检测的仪器
 

 
 

 
检测原理是：HS-Phys-SimPLe系统是一种高分辨率光致发光（PL）扫描映射系统，用于表征直径高达400mm的半导体晶片。使用专门设计的高强度激光源来激发半导体材料中的少子载流子。
 
三种类型复合载体：SRH（Shockley-Read-Hall）深能级复合，Auger俄歇复合和Radiative辐射复合。在较低注入水平下，Auger俄歇复合可以忽略不计，因此“清洁”区域由辐射控制，而污染区域主要由SRH深能级复合控制。由于结晶滑移缺陷就像溶解污染的吸杂点，具有较低的辐射发射。因此可以通过PL技术将其可视化。
 
产品特点
■   直径达400mm、厚度达30mm的晶片检查
■   60?m分辨率下的滑移线检测
■   更多波长可供选择
■   检测速度：12英寸-13分钟，8英寸-5分钟
■   利用优化的波长和过滤进行PL滑移线检查，可以发现制程中尚未发现的问题
■   显示更小的滑移线等内部缺陷。
■   自动晶圆探测器
■   自动参数设置
■   即使在低信号采样上也具有高分辨率和高对比度
 
技术指标：
■ 主要探测：半导体级硅晶片/环，光伏硅片，碳化硅晶片，蓝宝石晶片等半导体晶片/环
 
■ 检测时间：
■cca.5分钟/8英寸晶圆
■cca.13分钟/12英寸晶圆
 
■成像系统：
■0.4mm分辨率的近红外InGaAs探测器
■高灵敏度温控FPA
 
■激光系统：
■1级高功率近红外激光系统
■外壳上有冗余联锁
■警示灯
■软件联锁
■TEC温度稳定，采用闭路水冷却
■满功率时温度稳定性在2摄氏度以内
 
■激光控制：电脑控制电源，带有集成PID温度控制器。
 
■参考系统的少子寿命精度：<5%（若校准）
 
■重复性：<5%
 
■机器对机器系数:校准后<3%
 
■ 尺寸：1800[H]x 1100[W]x 1100[D]mm
 
■ 重量：270kg
 
■合规：CE、RoH